New technology for High Electron Mobility Transistor will make India self-reliant in power transistor technology | IISc Develops India’s first e-mode Gallium-Nitride Power Transistor
उच्च इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर के लिए नई प्रौद्योगिकी भारत को पावर ट्रांजिस्टर प्रौद्योगिकी में आत्मनिर्भर बनाएगी बैंगलोर के वैज्ञानिकों ने एक अत्यधिक विश्वसनीय , उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर ( High Electron Mobility Transistor - HEMTs ) विकसित किया है , जो सामान्य रूप से बंद उपकरण है और यह 4 एम्पियर तक विद्युत-धारा को भेज सकता है और 600 वोल्ट पर संचालित हो सकता है। गैलियम नाइट्राइड ( GaN ) से बना यह पहला स्वदेशी HEMT उपकरण इलेक्ट्रिक कारों , लोकोमोटिव , पावर ट्रांसमिशन और हाई वोल्टेज तथा हाई-फ़्रीक्वेंसी स्विचिंग की आवश्यकता वाले अन्य क्षेत्रों में उपयोगी है , जो पावर इलेक्ट्रॉनिक्स में आवश्यक स्थिर और सक्षम ट्रांजिस्टर आयात करने की लागत में कमी लाएगा। प्रभावी स्विचिंग निष्पादन ( efficient switching performance) के लिए पावर इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम ऑफ-स्टेट में उच्च अवरोधक वोल्टेज